金融界2025年3月22日消息(xi)，国家常识产(chan)权局信息(xi)显示，晶芯成（北京）科技(ji)有限企业申请一项名为“半导体结构的(de)制造方法和半导体结构”的(de)专利，公开(kai)号CN 119653849 A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，本申请实(shi)施(shi)例提供了(le)一种半导体结构的(de)制造方法和半导体结构，涉及半导体制造技(ji)术领域。该半导体结构的(de)制造方法包括：提供基(ji)底；其中，基(ji)底包括衬底和间隔设置于衬底上的(de)至少两个栅极(ji)结构；栅极(ji)结构凸出衬底的(de)表面；相邻的(de)两个栅极(ji)结构在衬底上的(de)投影(ying)之间的(de)间隔距离为第一距离；在栅极(ji)结构上形成聚合层(ceng)，得(de)到过渡栅极(ji)结构；其中，相邻的(de)两个过渡栅极(ji)结构在衬底上的(de)投影(ying)之间的(de)间隔距离为第二距离第二距离小于第一距离；基(ji)于第二距离，在衬底内形成西格玛沟槽。通过本申请实(shi)施(shi)例，利用对聚合层(ceng)厚度的(de)控制实(shi)现了(le)对西格玛沟槽的(de)顶部尺寸的(de)调节，降低了(le)西格玛沟槽关(guan)键尺寸的(de)调节难度，提升了(le)西格玛沟槽关(guan)键尺寸的(de)调节能力(li)。
天眼查资料(liao)显示，晶芯成（北京）科技(ji)有限企业，成立于2020年，位于北京市(shi)，是一家以从事科技(ji)推(tui)广和应用服务(wu)业为主的(de)企业。企业注册资本20万人(ren)民(min)币，实(shi)缴资本20万人(ren)民(min)币。通过天眼查大数据(ju)分析，晶芯成（北京）科技(ji)有限企业专利信息(xi)191条，此外企业还拥有行政许可1个。
来源：金融界