山西创芯光电申请优化下电极结构的Ⅱ类超晶格红外探测器芯片及其制备方法专利，解决焦平面阵列中响应均匀性差的问题,企业
2025-03-22 03:06:43
山西创芯光电申请优化下电极结构的Ⅱ类超晶格红外探测器芯片及其制备方法专利，解决焦平面阵列中响应均匀性差的问题,企业
金融界2025年3月22日(ri)消息，国(guo)家常识产权局信息显示，山西创芯光电科技有限企业申请一项名为(wei)“优化下电极结构的Ⅱ类(lei)超晶格红(hong)外(wai)探测器芯片及其制备方法”的专利，公开号 CN 119653882 A，申请日(ri)期为(wei) 2025年2月。
专利摘要显示，本发明(ming)提供了一种优化下电极结构的Ⅱ类(lei)超晶格红(hong)外(wai)探测器芯片及其制备方法，属于(yu)红(hong)外(wai)探测器制备技术领(ling)域；解(jie)决了焦平面(mian)阵列中间和边缘位置的像元和下电极距离不等，响应均匀性差(cha)的问题；采用的技术方案为(wei)：包括多(duo)个在焦平面(mian)阵列上阵列排布的单元，每个单元包括至少一个下电极和由至少三个上电极组成(cheng)的上电极阵列，所述下电极位于(yu)上电极阵列的中心(xin)位置；本发明(ming)应用于(yu)大面(mian)阵、小像元的红(hong)外(wai)探测器制备。
天眼(yan)查资料显示，山西创芯光电科技有限企业，成(cheng)立于(yu)2018年，位于(yu)太(tai)原市，是一家以从事(shi)计算机(ji)、通信和其他电子设备制造业为(wei)主的企业。企业注册资本2000万(wan)人民币，实缴资本2000万(wan)人民币。通过天眼(yan)查大数(shu)据分析，山西创芯光电科技有限企业共对外(wai)投资了2家企业，参与招投标(biao)项目32次，财产线索方面(mian)有商标(biao)信息1条，专利信息34条，此外(wai)企业还拥(yong)有行政许可5个。
来源：金融界