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京东方晶芯申请一种发光二极管芯片及其制备方法专利,降低发光二极管芯片制备中导致的破片等不良情况,显示,企业,复合
2025-03-23 00:13:14
京东方晶芯申请一种发光二极管芯片及其制备方法专利,降低发光二极管芯片制备中导致的破片等不良情况,显示,企业,复合

金融界(jie)2025年3月22日消息,国家常识(shi)产权局信息显(xian)示,京东方晶芯(xin)科技有限企业申请一项名为(wei)“一种发光二极(ji)管芯(xin)片及(ji)其制备方法(fa)”的专利,公开号 CN 119653936 A,申请日期为(wei)2024年12月。

专利摘要显(xian)示,本申请提供一种发光二极(ji)管芯(xin)片及(ji)其制备方法(fa),属于显(xian)示技术领域,制备方法(fa)包括(kuo):提供包含外延层的复合衬底,复合衬底包括(kuo)层叠设置的第一衬底和第二衬底,外延层设置在第一衬底背离第二衬底的侧第二衬底的厚度大于第一衬底的厚度;对外延层进行图形化工 艺,形成多个发光单元;在发光单元背离复合衬底的一侧形成 电(dian)极(ji);将(jiang)复合衬底中(zhong)的第二衬底与第一衬底剥离,形成包括(kuo)第 一衬底及(ji)多个发光单元的中(zhong)间结构体;通过划片裂片工艺分(fen)离中(zhong)间结构体,形成多个发光二极(ji)管芯(xin)片。通过本申请提供的一 种发光二极(ji)管芯(xin)片及(ji)其制备方法(fa),可以(yi)降(jiang)低(di)发光二极(ji)管芯(xin)片制备中(zhong)导致的破片等不(bu)良情况,并减(jian)薄发光二极(ji)管芯(xin)片的厚度,降(jiang)低(di)制备成本。

天眼查资料显(xian)示,京东方晶芯(xin)科技有限企业,成立于2020年,位于北(bei)京市,是一家以(yi)从事科技推广和应用服务业为(wei)主的企(qi)业。企(qi)业注册资本250500万人民币,实缴资本147600万人民币。通过天眼查大数据(ju)分(fen)析,京东方晶芯(xin)科技有限企业共对外投资了2家企(qi)业,参与招(zhao)投标(biao)项目178次,专利信息343条,此外企(qi)业还拥有行政许可2个。

来源:金融界(jie)

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