青岛海存申请半导体存储结构及其形成方法专利，用于提高半导体存储结构性能,隧道,轨道,介质
2025-03-22 08:13:40
青岛海存申请半导体存储结构及其形成方法专利，用于提高半导体存储结构性能,隧道,轨道,介质
金融界2025年3月22日(ri)消息(xi)，国家常识产权局信息(xi)显示，青岛(dao)海存微(wei)电子有限企业申请一项名为“半导体存储结构及其形成方(fang)法”的专利，公开号CN 119654054 A，申请日(ri)期为2025年2月。
专利摘要显示，本(ben)申请提供一种半导体存储结构及其形成方(fang)法，涉及半导体技术领域，用于提高半导体存储结构性能。该结构包括：自旋轨道矩层，以及设置在自旋轨道矩层上(shang)的存储磁隧道结、虚设磁隧道结和介质层；虚设磁隧道结位于存储磁隧道结的旁侧(ce)；介质层至少填满存储磁隧道结和虚设磁隧道结之间的空隙；自旋轨道矩层以存储磁隧道结、虚设磁隧道结和介质层为掩模刻蚀形成。本(ben)申请提供的半导体存储结构及其形成方(fang)法无需(xu)为自旋轨道矩层设置光罩，能够简化形成过程，同时还可以避(bi)免存储磁隧道结和自旋轨道矩层产生套刻偏移，保证存储磁隧道结和自旋轨道矩层对准，从而提高写入电流效率，以提高半导体存储结构的性能。
天眼查资料显示，青岛(dao)海存微(wei)电子有限企业，成立于2023年，位于青岛(dao)市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业(ye)为主的企(qi)业(ye)。企(qi)业(ye)注册资本(ben)39000万人民币。通过天眼查大(da)数据分析，青岛(dao)海存微(wei)电子有限企业参与(yu)招投标项目5次，专利信息(xi)87条，此外(wai)企(qi)业(ye)还拥有行政许可3个。
来源：金融界