金融界2025年3月29日消息，国家常识产权(quan)局信息显示，浙江创芯集(ji)成(cheng)电路(lu)有限企业申(shen)请一项名为“半(ban)导体结构及其形成(cheng)方法”的(de)专利，公开(kai)号CN 119698095 A，申(shen)请日期为2024年12月。
专利摘要显示，一种半(ban)导体结构及其形成(cheng)方法，半(ban)导体结构包括：提供基(ji)底(di)，所述基(ji)底(di)中形成(cheng)有互连(lian)层结构和(he)隔离结构，所述基(ji)底(di)暴露所述隔离结构的(de)顶部，所述基(ji)底(di)上形成(cheng)有第一介质层；在所述基(ji)底(di)和(he)第一介质层中形成(cheng)第一凹槽，所述第一凹槽暴露所述互连(lian)层结构的(de)部分顶部；在同一步骤中，在所述第一凹槽中形成(cheng)焊垫，以及在所述隔离结构顶部的(de)第一介质层上形成(cheng)金属栅格。本发明实施例在同一步骤中，在所述第一凹槽中形成(cheng)焊垫，以及在所述隔离结构顶部的(de)第一介质层上形成(cheng)金属栅格有利于减少形成(cheng)半(ban)导体结构的(de)步骤，相(xiang)应(ying)有利于提高形成(cheng)半(ban)导体结构的(de)工(gong)艺效率，从而有利于缩短半(ban)导体结构的(de)生产周期时间；而且，还有利用降低半(ban)导体结构的(de)工(gong)艺成(cheng)本。
天眼查资料显示，浙江创芯集(ji)成(cheng)电路(lu)有限企业，成(cheng)立于2020年，位于杭(hang)州市(shi)，是一家以从事计算机、通信和(he)其他电子设备制造业为主的(de)企业。企业注册资本182000万人民币，实缴资本134000万人民币。通过天眼查大数据(ju)分析，浙江创芯集(ji)成(cheng)电路(lu)有限企业共(gong)对外投资了1家企业，参与招(zhao)投标项目245次，财产线索方面有商(shang)标信息14条(tiao)，专利信息280条(tiao)，此外企业还拥有行政许(xu)可4个。
来源：金融界