据微信公众号“西湖(hu)仪(yi)器”消息，近(jin)日，由该校(xiao)孵化的西湖(hu)仪(yi)器（杭州）技术有限企业成功开发出12英寸碳化硅(gui)衬底自动化激光剥离技术，解决了12英寸及以(yi)上超大尺寸碳化硅(gui)衬底切片(pian)难题。
与传统的硅(gui)材料相比，碳化硅(gui)具有更(geng)宽的禁带能隙、更(geng)高的熔(rong)点、更(geng)高的电子迁移率(lu)以(yi)及更(geng)高的热导率(lu)，能够在(zai)高温、高电压条件下稳定工作(zuo)，已成为新能源和半导体(ti)产业升级的关键材料，推动电动汽车、光伏(fu)发电、智能电网、无线通信等领域的技术革命。
但衬底材料成本占据整体(ti)成本的比例依然居高不下，严重阻碍(ai)了碳化硅(gui)器件大规模的产业化推广。降本增效的重要途径之一是制(zhi)造更(geng)大尺寸的碳化硅(gui)衬底材料。与6英寸和8英寸衬底相比，12英寸衬底材料能够进(jin)一步(bu)扩大单片(pian)晶圆上可用于芯片(pian)制(zhi)造的面积，在(zai)同等生产条件下，显著提升产量，降低单位成本。
2024年12月，国内碳化硅(gui)头(tou)部企业已披露了最新一代12英寸碳化硅(gui)衬底，在(zai)引领国际发展趋势的同时，也提出了12英寸以(yi)上的超大尺寸碳化硅(gui)衬底切片(pian)需求。与之相应，西湖(hu)仪(yi)器以(yi)最快(kuai)速度推出了“超大尺寸碳化硅(gui)衬底激光剥离技术”，率(lu)先解决了12英寸及更(geng)大尺寸的碳化硅(gui)衬底“切片(pian)”难题。
“该技术实现了碳化硅(gui)晶锭减薄、激光加工、衬底剥离等过程的自动化。”西湖(hu)大学工学院讲(jiang)席教授仇旻(min)介(jie)绍，与传统切割技术相比，激光剥离过程无材料损耗，原料损耗大幅下降。新技术可大幅缩短衬底出片(pian)时间，适用于未来(lai)超大尺寸碳化硅(gui)衬底的规模化量产，进(jin)一步(bu)促进(jin)行业降本增效。
（综(zong)合自西湖(hu)仪(yi)器、科技日报等）