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昕感科技申请SiC沟槽终端结构制作方法专利,解决深pplus过渡区在反向耐压时电场集中的问题,企业,栅极,显示
2025-03-22 10:16:29
昕感科技申请SiC沟槽终端结构制作方法专利,解决深pplus过渡区在反向耐压时电场集中的问题,企业,栅极,显示

金融界2025年3月22日消(xiao)息,国家常识(shi)产权局(ju)信息显示,北(bei)京昕(cuan)感科(ke)技有限责任公(gong)司申请一项名为“一种SiC沟槽终端结构(gou)制作方法”的专利,公(gong)开号CN 119653807 A,申请日期为2024年12月。

专利摘要显示,本发明公(gong)开了一种SiC沟槽终端结构(gou)制作方法,属于半导体制造技术领域。包括如下步骤,在N?外延层中形成多个P+区将N?外延层分成一个终端区和多个元胞区,在终端区形成第一Pwell区,在元胞区中分别形成JFET注入区、第二Pwell区和N+区;通过(guo)光刻胶在所(suo)述终端区定义出渐变沟槽终端环以及在所(suo)述元胞区上定义出栅极(ji)沟槽图案;通过(guo)上述图案在终端区形成向元胞区方向深度逐渐增加的多个终端区沟槽,以及在元胞区中形成栅极(ji)沟槽;在终端区沟槽和栅极(ji)沟槽上形成侧墙并在底部形成P型保护区然后去除侧墙以及硬掩(yan)膜层,并进一步形成栅极(ji)、源极(ji)和漏极(ji)。本发明的方法不增加工艺所(suo)需的掩(yan)膜版,兼容单沟槽+深pplus方案,解决深pplus过(guo)渡区在反向耐压时电(dian)场集中的问题。

天眼查资(zi)料显示,北(bei)京昕(cuan)感科(ke)技有限责任公(gong)司,成立于2020年,位于北(bei)京市,是一家以从事软(ruan)件和信息技术服务业(ye)为主的企业(ye)。企业(ye)注册资(zi)本5398.9562万人民币(bi),实缴资(zi)本2586.9837万人民币(bi)。通过(guo)天眼查大数据分析,北(bei)京昕(cuan)感科(ke)技有限责任公(gong)司共对外投资(zi)了6家企业(ye),财(cai)产线索方面有商标信息4条,专利信息16条,此外企业(ye)还拥(yong)有行政许(xu)可2个。

来源:金融界

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