3月24日，据最新报道(dao)，台积电将于(yu)3月31日在高(gao)雄(xiong)厂举办2nm扩(kuo)产典礼，并于(yu)4月1日起接受2nm晶圆订单预订。台积电董事(shi)长魏(wei)哲家透露，客户对于(yu)2nm技术的需求甚至超过了3nm同期。
根据台积电规划，2nm晶圆将于(yu)今年下半年在新竹宝(bao)山(shan)厂和高(gao)雄(xiong)厂同步(bu)量产。据悉，台积电在新竹宝(bao)山(shan)厂的2nm试产良率达60%；苹果(guo)、AMD、Intel等科(ke)技巨头均(jun)已预订产能(neng)。根据规划，台积电2025年底月产能(neng)将达5万片，2026年进一步(bu)提升至12-13万片。
根据知名苹果(guo)供应链分析师郭明錤(ji)的最新分析，2026年下半年上市的苹果 18全系列将搭(da)载的A20处理器(qi)或全球(qiu)首发2nm工艺。他透露，台积电2nm工艺在三个(ge)月前的试产良率已达60%-70%，当前水平进一步(bu)提升，为苹果(guo)的 “跨代升级” 提供了技术保障。
而(er)郭明錤(ji)、Jeff Pu等分析师均(jun)表示，苹果(guo)A19芯片将采用台积电第三代3nm工艺（N3P）制造。这意味着(zhe)相比(bi)苹果 17系列的A19芯片，A20芯片在性能(neng)和能(neng)效方面将有(you)更显著的提升。若(ruo)A20芯片如期量产，苹果 18的能(neng)效比(bi)将实现质的飞跃。业内人士(shi)分析，A20性能(neng)提升幅度或超历(li)代芯片迭代，同时还为苹果(guo)下一步(bu)的折叠(die)屏(ping)、屏(ping)下Face ID等设计释放更多空间。
此前，在IEDM 2024大会上台积电首次披露了2nm制程工艺的技术细节，2nm工艺采用全环绕栅极(ji)（GAA）纳米片晶体管技术，与上一代3nm工艺相比(bi)，晶体管密度提升15%，相同电压下性能(neng)提升15%，在同等性能(neng)下功耗降低24%-35%。该工艺通过N2 NanoFlex设计技术优(you)化，允许开发面积更小、能(neng)效更高(gao)的逻(luo)辑单元，同时支撑6种电压阈值档位，覆盖(gai)200mV范围，为芯片设计提供了更大灵活(huo)性。
值得注意的是，台积电2nm工艺的SRAM密度达到38Mb/mm?，较前代提升显著，且导线(xian)电阻降低20%，配合超高(gao)性能(neng)MiM电容，为高(gao)频率运算(suan)场(chang)景提供了更强支撑。这些(xie)技术突破(po)让(rang)2nm芯片在AI、高(gao)性能(neng)计算(suan)（HPC）等领域的应用潜力被业界广泛看好(hao)。
台积电的2nm量产计划不仅(jin)加速了芯片制程的迭代，也加剧了全球(qiu)半导体行业的竞争。目前，SAMSUNG、Intel等厂商均(jun)在积极(ji)推进2nm研(yan)发，但台积电凭借GAA技术的成熟度和产能(neng)布局，已确立先发优(you)势。