【文/观察者网专栏作(zuo)者 心智观察所】
不久前，国家商务部、海关总(zong)署联合发(fa)布公告，决定对部分中重稀(xi)土(tu)相关物项实施出口管(guan)制，包(bao)括钐(shan)、钆、铽、镝、镥、钪、钇的合金(jin)、化合物、氧化物等相关物项出口，必须根据相关法规向商务部申请许可证。
消息一出，相关物项的国际市场价格应声暴涨，专业人士甚(shen)至(zhi)预期后续将会有500%乃(nai)至(zhi)更大幅度的涨价。
正如心智观察所第一时间进行的分析，此举将会对全(quan)球供应链产生战略性(xing)影(ying)响，尤其是对高度依赖这7种稀(xi)土(tu)材料的高性(xing)能磁体、光电(dian)材料及其下游国防军工、医疗设(she)备等关键应用领域。
许多人或许还没有意识到的是，此次出招，对光刻机产业制高点的角逐(zhu)也将带来巨大影(ying)响。
众所周知，EUV光刻机已(yi)然成(cheng)为(wei)美(mei)国对华科技遏制的最关键抓手(shou)，一谈(tan)起EUV，就会有各种奇奇怪怪的失败主义(yi)论调横行于国内舆论场，以各种看似扎实的数据言之凿凿论证中国无望追赶。
然而且不说新型举国体制正在EUV技术攻坚中凝聚起的力量，单从对手(shou)的需(xu)求看，在美(mei)国管(guan)辖长臂试图“锁死”中国光刻机发(fa)展上限的同时，美(mei)西方自身(shen)想要将光刻技术继续向前推进，同样极大受制于中国稀(xi)土(tu)材料供给。
根据目前ASML发(fa)布的产品路线图，其现有EUV产品体系沿着数值孔径和工艺因子优化的路径，预计可迭代(dai)到2030年代(dai)初(chu)期的0.75NA HXE系列(lie)，此时就将到达现有技术体系的分辨率(lu)极限，2035年后，超越现有架构的“BEUV”（Beyond EUV）光刻机将取代(dai)其王者地位。
目前，海外已(yi)经相继铺开了BEUV关键技术研究，如去(qu)年底(di)美(mei)国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）就公开了可作(zuo)为(wei)光刻机驱动激光的大孔径铥 (BAT) 激光器(qi)，并将牵头组(zu)建极端(duan)光刻与材料创新中心（ELMIC）。
ELMIC是一项为(wei)期四年、耗资1200万美(mei)元(yuan)的研究项目，将测试BAT激光器(qi)能否将EUV光源效率(lu)提高约10倍，有望催生下一代(dai)BEUV光刻系统，该(gai)项目成(cheng)员还包(bao)括ASML首席EUV光源专家Michael Purvis。
对于BEUV，目前还有多条光源技术路线正在被研究，包(bao)括中国已(yi)走在全(quan)球前沿的自由电(dian)子激光（FEL）、稳态微聚束（SSMB）加速器(qi)等，不过最新版IRDS光刻路线图中也坦(tan)言，替代(dai)方案的最大挑战是缺乏产业生态，因此“向公用事业规模光源架构的必要范式(shi)转变具有足够(gou)的颠覆性(xing)，需(xu)要就其开发(fa)和相关的生态系统/基础设(she)施变革达成(cheng)广泛(fan)共识”。
基于这一背景，业界(jie)对于开发(fa)短波(bo)长（6.X纳(na)米(mi)）的激光等离子体光源给予了高度重视，有很大概率(lu)成(cheng)为(wei)优选技术路线，原因不仅是其技术原理与当前EUV光刻机有较高继承性(xing)，且多层镜组(zu)成(cheng)的反射(she)式(shi)光学系统在6.X纳(na)米(mi)波(bo)长下理论反射(she)率(lu)可高达70%。