必一运动·(B-sports)官方网站

业界动态
天岳先进冲击A+H上市,HUAWEI入股,碳化硅衬底价格下滑,企业,半导体,招股书
2025-03-28 04:36:58
天岳先进冲击A+H上市,HUAWEI入股,碳化硅衬底价格下滑,企业,半导体,招股书

今天,市场彻底疯狂!

恒生(sheng)科技指(zhi)数盘中一举冲(chong)破了(le)6000点大关,截(jie)至下午(wu)收(shou)盘上涨4.47%,创下近三年的历史新高。

中芯国际作(zuo)为港(gang)股本(ben)轮行情的情绪(xu)龙头之一,自去年12月的低点涨幅已(yi)接近130%。

A股的半导体板块今天尾盘也承接了(le)一波资金,成都华微、灿芯股份(fen)20%涨停,芯原股份(fen)、天岳先进、长光华芯、翱捷科技、晶合集成等跟涨。

其中,天岳先进(688234.SH)前两天刚刚递表港(gang)交所,寻(xun)求(qiu)A+H双重(zhong)上市。

企业(si)是国内碳化硅衬底龙头,2023年市占率全(quan)球第二,国产厂(chang)家第一。

近期赴港(gang)上市的企业(si)中,电(dian)子行业占据了(le)较大的权重(zhong),除天岳先进外,还有(you)江波龙、歌尔股份(fen)、峰岹科技、杰华特、和辉(hui)光电(dian)等。

2022年1月,天岳先进登陆科创板,成为“碳化硅衬底第一股”,募集资金总(zong)额35.58亿元,扣除相关费用后的募资净额为32.03亿元,超募12亿元。

此次赴港(gang)上市,天岳先进首次公告的时间是2024年12月28日,从公告到递表相隔仅2个月时间。

接下来详细探(tan)究一下天岳先进的情况。

01

专注做碳化硅衬底,需(xu)要募资扩充(chong)大尺(chi)寸衬底的产能

天岳先进成立于2010年11月2日,由创始(shi)人宗艳民创立,总(zong)部位于山东济南。

自2010年至2020年,企业(si)的前身(shen)已(yi)完成数轮出资及股权转让,并于2020年11月改(gai)制(zhi)为股份(fen)有(you)限企业(si);2022年1月,天岳先进登陆A股科创板。

目前,宗艳民直接及间接控制(zhi)企业(si)38.48%的权益,并且担任企业(si)董事会主席、实行董事兼总(zong)经理一职。

此外,HUAWEI哈勃持有(you)企业(si)6.34%的股份(fen)。

宗艳民今年61岁(sui),他1987年7月毕(bi)业于山东轻工业学院(现齐鲁工业大学),获硅酸盐工程(cheng)学士学位。2020年3月,他被山东省工程(cheng)技术(shu)职务资格高级评审(shen)委员(yuan)会评为正高级工程(cheng)师。

他在半导体材料技术(shu)研发、产业化和企业管(guan)理方面(mian)有(you)35年以上经验。在创办天岳先进之前,还创立了(le)济南天业工程(cheng)机械有(you)限企业(si),担任董事会主席兼总(zong)经理至2020年10月,此后继续担任董事会主席。

天岳先进自成立以来即专注于碳化硅衬底的研发与产业化。

2015年及2021年,先后完成4英寸和6英寸碳化硅衬底产品的量产;

2023年,具备了(le)8英寸碳化硅衬底量产能力;

2024年,推(tui)出业内首款12英寸碳化硅衬底;

截(jie)至2024年9月30日,企业(si)已(yi)在山东及上海设立两个生(sheng)产基(ji)地(di),合计(ji)2024年的年设计(ji)产能超过40万片碳化硅衬底。

2022年、2023年、2024年1-9月(报告期),天岳先进碳化硅衬底销售收(shou)入分别为3.26亿元、10.86亿元和10.53亿元,占企业(si)总(zong)收(shou)入的比重(zhong)分别为78.2%、86.8%、82.2%。

企业(si)的碳化硅衬底样品,来源:招股书

关于此次寻(xun)求(qiu)在香港(gang)联(lian)交所上市的原因,招股书称,此举旨在加快企业(si)的国际化及海外业务扩张、提高企业(si)自国际市场获得资金的能力及进一步增强企业(si)的资金实力及竞争优势。

募集资金将主要用于扩张8英寸或更大尺(chi)寸的碳化硅衬底产能,以满足市场对(dui)高性能半导体材料日益增长的需(xu)求(qiu)。

02

收(shou)入稳步增长,产品价(jia)格有(you)所下滑(hua)

受益于下游新能源车、光伏储能等领域的需(xu)求(qiu)提升,天岳先进近年来营(ying)收(shou)稳步增长。

财务数据方面(mian),报告期内,企业(si)的收(shou)入分别为4.17亿元、12.51亿元和12.81亿元。2023年收(shou)入较2022年增长199.9%,2024年前三季度收(shou)入较2023年同期增长55.3%。

2024年1-9月收(shou)入增长的主要原因在于,8英寸碳化硅产品量产后,碳化硅产品产生(sheng)的收(shou)入增加;上海生(sheng)产基(ji)地(di)于2023年5月投产;及市场需(xu)求(qiu)上升。

净利润方面(mian),2022年和2023年企业(si)分别亏损1.76亿元和0.46亿元,2024年1-9月实现净利润1.43亿元。

2月23日,天岳先进发布了(le)最新业绩快报。2024年,企业(si)实现营(ying)收(shou)17.68亿元,同比增长41.37%,归母净利润为1.8亿元,扣非净利润为1.58亿元,均同比扭亏为盈。

企业(si)主要财务数据;来源:招股书

毛利率方面(mian),2022年的毛损率为7.9%,2023年毛利率提升至14.6%,2024年前三季度进一步提升至25.5%。

值得注意的是,报告期内,天岳先进碳化硅衬底的销售量分别为约6.38万片、22.63万片及25.15万片,平均售价(jia)分别为每(mei)片5110元、4798.1元及4185元,价(jia)格有(you)所下降。

招股书称,2019年至2024年期间,全(quan)球碳化硅衬底市场价(jia)格有(you)所下降,主要受到市场竞争加剧、技术(shu)成熟(shu)带来的成本(ben)优化以及产能逐步扩张等因素的影响。

未来,随着碳化硅衬底产品加速迭代,以及下游应(ying)用快速发展导致需(xu)求(qiu)持续攀升,相同尺(chi)寸衬底的价(jia)格降幅预计(ji)将逐步收(shou)窄。

关于这一点,大家此前写过的碳化硅外延片龙头天域半导体也面(mian)临产品价(jia)格下降的风险。(详情可见《》)

天域半导体在招股书中表示(shi),2025年后中国碳化硅外延片平均售价(jia)的下降速度将快于全(quan)球平均售价(jia)的下降速度。

从研发投入来看,报告期内,天岳先进的研发开支分别为1.28亿元、1.37亿元、0.95亿元。

2024年1-9月同比有(you)所下降,主要由于企业(si)2023年成功自8英寸碳化硅衬底的初(chu)期研发阶段过渡至量产阶段,且研发投资已(yi)开始(shi)转化为日益增加的商业成功。

截(jie)至2024年9月30日,企业(si)已(yi)与全(quan)球前十大功率半导体器件制(zhi)造商(按2023年的收(shou)入计(ji))中一半以上的制(zhi)造商建立业务合作(zuo)关系。

2022年至2024年1-9月,企业(si)来自中国内地(di)以外市场的销售收(shou)入占企业(si)同期总(zong)收(shou)入的比重(zhong)由12.6%提升至40.4%。

报告期内,前五大客(ke)户贡献的收(shou)入分别占同期总(zong)收(shou)入的65.0%、51.3%及53.2%,占比较大。

与半导体行业其他代工企业类似,天岳先进构建了(le)大量的固定资产,报告期内为建设生(sheng)产基(ji)地(di)等产生(sheng)的资本(ben)开支达31.85亿元。

2024年9月30日,企业(si)的非流动(dong)资产总(zong)值为42.45亿元,其中物业、厂(chang)房及设备达38.22亿元,占总(zong)资产的比重(zhong)为53.53%。

企业(si)资产负债(zhai)表,来源:招股书

03

碳化硅衬底行业前景(jing)较好,企业(si)市占率全(quan)球第二

从半导体材料的发展趋势来看,碳化硅材料率先推(tui)动(dong)了(le)半导体行业的变革,并逐步替代和补充(chong)硅基(ji)技术(shu)。

相较硅基(ji)半导体,以碳化硅和氮(dan)化镓为代表的宽禁带半导体从材料端至器件端的性能优势突(tu)出,是未来半导体行业发展的重(zhong)要方向,被称为第三代半导体。

其中,碳化硅展现出了(le)独(du)特的物理化学性能。

碳化硅是一种由碳和硅组成的化合物,具有(you)高禁带宽度、高击(ji)穿电(dian)场强度、高电(dian)子饱和漂移速率和高热导率等特性,是多个行业降本(ben)增效的关键材料。

这些特性使得碳化硅在xEV及光伏等高性能应(ying)用领域中具有(you)显著优势,尤其是在稳定性和耐用性方面(mian)。

碳化硅材料主要用于制(zhi)作(zuo)碳化硅衬底和外延片,其中碳化硅衬底广(guang)泛应(ying)用于功率半导体器件、射频器件、光波导、滤波器、散热部件等领域,覆盖xEV、光伏、储能、电(dian)力电(dian)网、轨道交通、通信、AI眼镜、智能手机等行业。

2019-2023年,碳化硅功率半导体器件市场显著增长,其在全(quan)球功率半导体器件市场的渗透率从1.1%升至5.8%,预计(ji)2030年将达到22.6%。

按应(ying)用领域来看,2019-2023年,xEV领域碳化硅功率半导体器件的复合年增长率高达66.7%,2024-2030年仍达36.1%,持续引领市场增长。

此外,光伏储能、电(dian)网、轨道交通领域、新兴(xing)应(ying)用领域的增速也较为可观。

以销售收(shou)入计(ji),全(quan)球碳化硅衬底市场由2019年的26亿元增长至2023年的74亿元,复合年增长率为29.4%。预计(ji)到2030年,市场规模将有(you)望增长至664亿元,复合年增长率为39.0%。

企业(si)经营(ying)所在的全(quan)球碳化硅衬底市场竞争激烈,其特点是技术(shu)发展日新月异、客(ke)户需(xu)求(qiu)及偏好变化迅速、新产品推(tui)出频繁以及新的行业标准及实践涌现。

按碳化硅衬底销售收(shou)入计(ji),2023年前五大市场参(can)与者市场份(fen)额总(zong)计(ji)为68.3%,市场集中度较高,以Wolfspeed、Coherent为代表的海外头部企业占据主导地(di)位。

2023年,天岳先进的市场份(fen)额为14.8%,市占率全(quan)球排(pai)名第二,在中国企业中排(pai)名第一。

最新资讯
  • 五峰土家族自治县
  • 诸城市密州街
  • 佳木斯市
  • 务川仡佬族苗族自治县平坝县
  • 尖草坪区光社街
  • 莱山区莱山镇
  • 思茅区思茅港镇
  • 宜兴市太华镇
  • 永靖县王台镇
  • 崇川区狼山镇
  • 攸县上云桥镇
  • 新宾满族自治县大四平镇
  • 东源县灯塔镇
  • 江永县粗石江镇
  • 诸暨市五泄镇
  • 蚌山区宏业村街
  • 上林县巷贤镇
  • 雷州市新城街
  • 内丘县大孟村镇
  • 运河区西环中街街
  • 河南中青综合资讯
  • 游戏百科综合资讯
  • 快云游综合资讯
  • 快云综合资讯
  • 久诚汽车资讯
  • 癫痫百科
  • 体育百科资讯
  • App百科资讯
  • sitemapsitemap1sitemap2sitemap3sitemap4sitemap5sitemap6sitemap7
    XML 地图 | Sitemap 地图